보배드림

지금의 반도체는 발열을 만들수밖에 없는 구조로 만들어져있는데,

그건 산화막이 채널이기 때문이야. 

드레인에 전압을 걸면 산화막에 전자가 닿아 열로 전환되고

산화막이 부풀게 되면 공간이 생기는데, 그 곳으로 전류가 흐르는거야.

그리고 그 열이 전도되어 다른 곳으로 빠져나가면서 채널이 닫히는거지.

그래서 전압이 높아지게 되면 산화막에서 열로 전환되는 양이 늘어나게되고, 

부풀어진 산화막으로 인한 누설전류가 증가해서 열이 높아지는거야.

이것을 해결할수있는 방법으로 캐시피터 방식의 채널을 만드는건데,

일정 전압에서 전류가 흐르도록 하는 방식이야.

드레인에 전압을 걸면 캐시피터에 저장된 전자의 압력이 높아져, 

캐시피터의 전자가 튀어 나가 드레인으로 가는거지.

그러면 전자가 열로 전환되는 비율이 0%가 되면서 발열이 줄어드는구조로 만드는거야.

소자의 집적도는 낮아져도 무발열 반도체를 만들수있는거지.

이게 초기 모델의 경우 같은 면적 대비 성능이 10% 이하가 될수있어.

그러면 면적을 4배로 넓히고 5층을 세우면 성능이 2배가 되는데,

적층 반도체를 하기 위해서는 반드시 무발열 반도체가 만들어져야돼.

만약에 이 무발열 반도체를 만들고 같은 면적 대비 50%의 성능을 낼수있게 되면

면적을 10배늘리고 5층을 적층을 세우는거야.

그러면 성능은 2500%가 증가하는데 쿨러를 없애도 되닌깐,

오히려 GPU의 크기가 줄어드는거지.

이거 하나만으로 한국 코스피 2만을 돌파할수있는 기술이라고 할수있어.