보배드림

1아토 반도체는 1나노보다 10억배가 작은 크기야.

1나노 공정에서 마스크에 닿아, 

반사된 빛의 면적이 1cm라고 하게 되면 축소 렌즈를 사용하게 되면,

1/10억 cm로 약 10억배의 면적을 축소할수있어.

이 말은 1나노 공정에 사용하던 면적을 10억배 더 사용할수있다는 말이 되는거야.

렌즈 필터 ND1000000을 활용해서, 마스크에 닿은 빛의 밀도를 1/100만배를 낮춘 상태에서, 

축소 배율을 높여, 포토 공정으로 그려내게 되면 1 / 100만 cm가 되겠지.

미세하게 움직여도, 100만번의 공정을 해야 1cm 크기의 웨이퍼를 만들수있다는거야.

높이, 넓이까지 1/100만cm가 되기 때문에, 

머리카락 1개에 1000억개의 회로를 그릴수있다는 말이 되지만,

머리카락 1개 크기를 전부 체우려면 1000억 번을 해야 그릴수있다는거지.

포토 공정을 1000억번을 하려면 시간이 많이 걸리겠지. 

그러면 작게 만들면 무슨 소용이겠어. 1CM X 1CM 웨이퍼를 그리는데, 

수백일이 걸리는데,

하지만 역시 문제를 해결할 방법은 존재했어.

그건 마스크의 집적률을 높여주는거야.

보통 EUV 공정을 보면 가로 세로 6CM의 마스크에 빛을 쏘아서, 

반사된 빛을 렌즈를 통해 축소시키는데, 마스크의 집적률을 100억배까지 높여주는거야.

처음에 6CM 6CM 크기의 1차 마스크를 사용하고,

노광 공정을 한 이후에, 축소 렌즈를 통해 1/10배로 축소시켜서 마스크를 현상시키는거지.

2차 마스크를 그릴때 한번 공정당 0.6CM X 0.6CM씩 찍어내고,

이렇게 10번을 해서 2차 마스크에 그려넣는거야. 

그러면 2차 마스크는 같은 면적인 6CM X 6CM인데, 

1차 마스크보다 약 10배 더 많은 집적률을 가지고 있게 되는거지.

그 다음 1차 마스크를 치우고, 2차 마스크로 동일하게 3차 마스크를 만드는거지.

0.6CM씩 10번 동일하게 해서 3차 마스크를 만드는거야.

3차 마스크는 2차 마스크의 10배의 집적률을 가지고 있고, 

1차 마스크보다 집적률이 100배가 되는거야.

4차 마스크는 역시 동일하게 3차 마스크를 가지고 10번을 그려주는데,

집적률이 1차 마스크에 1000배가 되는거지.

마스크를 이런식으로 웨이퍼를 그려내듯이 그리면서, 동일한 공정을 10번해서, 

10차까지 늘리게 되면, 마스크의 집적률은 10,000,000,000 100억배가 높아지게 되는거야.

10차 마스크로 멈추지 않고, 20차까지 늘리게 되면, 1만경인 1해가 되는거야.

이렇게 1만경배의 집적률을 가진 마스크를 만든 이후에, 

특수 EUV 마스크로 웨이퍼 현상 공정을 사용하게 되면,

1나노 반도체에 사용하던 면적에 1만경개의 동일한 회로를 한번에 그릴수있어.

그리고 1차 마스크를 만들때, 그 안에 CPU,GPU,SSD,메모리가 결합된 회로를 만들고

2차 마스크를 만들때, 1차 마스크의 회로가 10개로 이어붙여도, 

서로 상호적으로 연계되어 작동하도록 회로를 설계하면서, 

집적률을 100억배, 1000억배, 1만경배 까지 늘리는거지.

그러면 EUV에서 한번에 집적률이 1만경배 높아진 0.001아토 반도체도 찍어낼수있는거야.

마스크의 집적률을 높이는게 핵심 방향이고, 

그 집적률을 높이는 N차 방법이 핵심이겠지.

스마트폰 1개로 PC 100억대를 가동할수있다는거야.

거기에 -220도 초전도체 반도체로 만들어서 전압에서 자유로우면 

1제타(1,000,000,000,000GHZ) 클럭의 CPU가 만들어지는거지.

1아토 반도체는 현대 반도체 업계에서는 절대 불가능하고, 0.1나노도 불가능하다고 하는데,

1나노보다 10억배가 작은 1아토 반도체가 10년안에 가능할지도 모르는거지.